标题:钨的配合物可低温下合成金属薄膜
作者:崇尚技术美
日期:2008-07-09 11:49
内容:
近年来，人们对金属薄膜如氮化物薄膜及其制备技术的研究兴趣浓厚。制备薄膜的方法有很多种，其中使用挥发性较高的金属有机化合物为前驱体的沉积方法尤其受到关注。1970年，曾报道过有关过渡金属二有机基肼配合物，从而使这类化合物作为沉积过渡金属氮化物的单一前驱物在材料化学学科引起了极大关注。将二有机基肼作为功能团和金属配位，可以生成沉积金属氮化物薄膜的可行前驱体。研究中还发现，利用肼配合物制备金属氮化物薄膜可以降低反应温度。科学家们已经合成了一些钨的酰亚胺配合物，并成功地用于氮化钨和碳氮钨沉积的单一前驱体。
目前，佛罗里达大学的研究者利用氯化钨、二有机基肼、乙腈或吡啶的反应制备了钨的二有机基肼配合物，并详细研究配合物的晶体结构。通过质谱、热失重分析、化学气相沉积等实验，证实了这些配合物作为沉积氮化钨和碳氮钨单一前驱体的可行性。以金属二有机基肼配合物为有机源前驱体可在较低温度下合成金属薄膜，可望在材料合成等方面得到广泛应用。
回复: 钨的配合物可低温下合成金属薄膜
#1 [wtop 7-9 14:47]
[s:22]
#2 [技术小屁孩 9-4 11:32]
[s:19]
#3 我不知道说什么才好 [opqr331 9-9 21:21]
我非常同情你,,哎,,
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